13761090949
當前位置：首頁 > 產(chǎn)品中心 > 二維材料 >
Single crystal highly oriented -synthetic- molybdenum disulfide （2H-MoS?） comes in bulk.
晶體尺寸：10毫米 電學性能：半導體 晶體結(jié)構(gòu)：斜方晶系 晶胞參數(shù)：a = 0.4025nm，B = 1.117nm，C = 1.135nm，α=β=γ= 9 晶體類型：合成 晶體純度：＞99.995% 表征方法：XRD，拉曼，EDX，霍爾測量
二硫化鈮晶體 2H-NbS2（Niobium Disulfide） 晶體尺寸：2毫米 電學性能：金屬，superconductor （Tc~6K）, charge density waves （CDW） system. 晶體結(jié)構(gòu)：六邊形 晶胞參數(shù)：a = b = 0.332 nm, c = 1.197 nm, α = β = 90, γ = 120° 晶體類型：合成 晶體純度：＞99.995%
三硫化鈮晶體（99.995%） NbS3 晶體類型：合成 晶體純度：＞99.995% 低維材料層狀過渡金屬化合物材料，新增材料：FeCl2,NbS3,GaTeI,InSe,CuInP2S6,WSSe,Fe3GeTe2,NiI2,FePS3,MnPSe3,MnPS3,NiPS3,PdSe2
三硫化鐵（磷摻雜）晶體（99.995%） FePS3 晶體類型：合成 晶體純度：＞99.995% 低維材料層狀過渡金屬化合物材料，新增材料： FeCl2,NbS3,GaTeI,InSe,CuInP2S6,WSSe,Fe3GeTe2,NiI2,FePS3,MnPSe3,MnPS3,NiPS3,PdSe2
三硫化錳（磷摻雜）晶體（99.995%） MnPS3 晶體類型：合成 晶體純度：＞99.995% 低維材料層狀過渡金屬化合物材料，新增材料： FeCl2,NbS3,GaTeI,InSe,CuInP2S6,WSSe,Fe3GeTe2,NiI2,FePS3,MnPSe3,MnPS3,NiPS3,PdSe2
聯(lián)系我們
上海巨納科技有限公司 公司地址：上海市虹口區(qū)寶山路778號海倫國際大廈5樓 技術(shù)支持：化工儀器網(wǎng)掃一掃 更多精彩
微信二維碼
網(wǎng)站二維碼
歡迎來到