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簡要描述：晶體尺寸：10毫米電學性能：半導體，拓撲絕緣體，熱電材料晶體結(jié)構(gòu)：單斜晶結(jié)構(gòu)晶胞參數(shù)：a = 1.430nm，B = 0.403nm，C = 0.986nm，α=γ= 90°，β= 95.40晶體類型：合成晶體純度：＞99.995%表征方法：XRD、拉曼、EDX
產(chǎn)品型號： 廠商性質(zhì)：生產(chǎn)廠家更新時間：2026-04-09訪 問 量：2035詳細介紹
晶體尺寸：10毫米
電學性能：半導體，拓撲絕緣體，熱電材料
晶體結(jié)構(gòu)：單斜晶結(jié)構(gòu)
晶胞參數(shù)：a = 1.430nm，B = 0.403nm，C = 0.986nm，α=γ= 90°，β= 95.40
晶體類型：合成
晶體純度：＞99.995%
表征方法：XRD、拉曼、EDX
Powder X-ray diffraction (XRD) of a single crystal As2Te3. X-ray diffraction was performed at room temperature using a D8 Venture Bruker.
Stoichiometric analysis of a single crystal As2Te3 by Energy-dispersive X-ray spectroscopy (EDX).
Raman spectrum of a single crystal As2Te3. Measurement was performed with a 785 nm Raman system at room temperature.
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