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產(chǎn)品名稱：4英寸二氧化硅拋光硅片 （SiO2） 生長(zhǎng)方式：直拉單晶（CZ） 熱氧化工藝 直徑與公差：100±0.4mm 摻雜類型：N型（摻磷、砷、銻） P型（摻硼） 晶向：111\\100 電阻率：0.001-50（Ω?cm） 可按客戶要求定制

本產(chǎn)品為表面鍍有石墨烯薄膜的單晶銅線，石墨烯*的性質(zhì)可以增強(qiáng)銅線本身的導(dǎo)電性，支持定制。

An ideal substrate – template for two-dimensional （2D） materials to eliminate ripple, surface roughness, and doping （charge transfer） effects.

A member of layered mica family but the exact chemical formula has been adjusted in such a way that resulting materials are K, Mg, and Fe