日韩?v无码一区二区三区-欧美精品欧美精品系列-国产情侣91在线播放-亚洲中文字幕日韩欧美-国产模特在线一区二区-亚洲视频专区一区二区三区-在线播放日韩av-亚洲在线日韩精品视频

單層氧化石墨烯（H法/進(jìn)口） Single Layer Graphene Oxide （H Method） 制備方法：改良的H法 直徑：1~5um 厚度：0.8~1.2nm 單層比：99% 純度：99% 堆積密度：0.44g/cm3 體積密度：為0.26g/cm3

氧化石墨烯（S法/進(jìn)口） Graphene Oxide （S Method） 制備方法：斯托登梅爾方法 外觀為灰綠色粉末 直徑：1~5um 厚度：0.8~1.2nm 比表面積（SSA）5-10平方米/克 單層比：＞90% 氧含量:~35 wt%

氧化石墨烯（S法/進(jìn)口） Graphene Oxide （S Method） 制備方法：斯托登梅爾方法 外觀為灰綠色粉末 直徑：1~5um 厚度：0.8~1.2nm 比表面積（SSA）5-10平方米/克

Semiconductor analog of graphene: Graphene oxide has been synthesized at our R&D facilities using modified reaction Hummer technique.

Carboxyl （-COOH） functionalized graphene has been developed at our facilities. Can be deposited on various substrates either by conventional mechanical exfoliation or spin coating in the solution form

Graphene fluoride has been developed our facilities. Carbon to Fluoride ratio is 1:1 and the particle size ranges from 1-15 microns. Electrical resistivity is 1E11-1E12 Ohm.cm.